Der BS170 wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und gleichzeitig ein zuverlässiges und schnelles Schaltverhalten zu bieten, das für Schaltanwendungen mit niedriger Spannung und niedrigem Strom geeignet ist. Die Abbildung 1 zeigt die Anschlüsse, die für die Durchführung der grundlegenden Kommunikation oder der GPIO-Logikpegelwandlung erforderlich sind.
Die logischen High-Pegel auf jeder Seite des MOSFETs werden durch Pull-up-Widerstände zu ihren jeweiligen Versorgungen erreicht, die die Umwandlung von I²C-Signalen im schnellen Modus (400 kHz) oder anderen ähnlich schnellen digitalen Schnittstellen ermöglichen. Das Gate des MOSFET wird auf der niedrigen Versorgungsspannung gehalten. Wenn kein Gerät die Busleitung auf einen Low-Pegel „herunterzieht“, wird die Busleitung an der „Source“-Leitung des MOSFETs durch die Niederspannungs-Pull-up-Widerstände auf einen High-Pegel „hochgezogen“. Die Gate/Source-Spannung (VGS) des MOSFETs liegt unter dem Schwellenwert, und der MOSFET ist nicht leitend. Dadurch kann die Busleitung am Drain des MOSFETs durch den Pull-up-Widerstand mit höherer Spannung nach oben gezogen werden. Die Busleitungen auf jeder Seite des MOSFETs werden auf HIGH gehalten, jedoch mit unterschiedlichen Spannungspegeln. Siehe Abbildung 2.