Gleichrichterdioden:
In dieser Anwendung stehen hohe zulässige Sperrspannung und kleine Verluste in Flussrichtung im Vordergrund. Um eine hohe zulässige Sperrspannung zu erzielen, müsste die Sperrschicht sehr dick sein; das setzt relativ schwach dotierte Halbleiter voraus. Ein schwach dotierter Halbleiter führt aber zu einem ziemlich hohen Bahnwiderstand, der dann wieder große ohmsche Verluste zur Folge hat. Die Forderungen, die an eine gute Gleichrichterdiode gestellt werden, scheinen also in sich widersprüchlich zu sein. Durch die Einführung einer Pin-Struktur kann man aber einen Ausweg aus diesem Dilemma finden. Wie der Name andeutet, liegt hier zwischen der stark dotierten n-Zone und der ebenfalls stark dotierten p-Zone eine Schicht eigenleitendes (Intrinsic) Halbleitermaterial. Beim Betrieb in Flussrichtung wird dieses i-Gebiet durch die reichlich in den p- und n-Gebieten vorhandenen freien Ladungsträger überschwemmt; die Diode ist also hinreichend niederohmig und damit verlustarm. Bei Polung in Sperrrichtung wird das ganze i-Gebiet zur Sperrschicht. Dieses Gebiet kann nun relativ dick gemacht werden und damit erreicht man eine ziemlich hohe zulässige Sperrspannung. Der Nachteil dieses Konzeptes ist die außerordentlich große Speicherladung (ausgedehntes i-Gebiet), der diesen Diodentyp für Signalanwendungen untauglich macht. Ein typischer (kleiner) Vertreter dieser Gruppe ist die 1N4004.